作者 主题:请帮助了解NPN BJT和P CHANNEL MOSFET电路 (Read 1279 times)

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 在线的 皮博迪

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« 在以下问题上回复#25: 2021年1月24日,下午05:08:25»
该规范适用于反向基极-发射极电压。在上面的电路中,基极-发射极结被正向偏置,因此电压被限制在0.7V左右。该电路将在没有R1的情况下正常工作,R1可在其中更快地关闭Tr1,并确保它'由于通过Tr2泄漏,因此t不能导通。

好,所以公式不'完全不适用,因为通过PNP基极增加了电流路径'在mosfet电路中。

 

 在线的 皮博迪

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« 在以下回复#26: 2021年1月24日,下午05:21:46»
您只需要一个不同的公式。

是的,非常感谢。 现在一切都说得通了。
 

 离线 零999

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« 在以下回复#27: 2021年1月24日,下午06:22:54»
替换已知(或近似)值:
   IB1≈(3.3V-0.7V)/330R-0.7V/1K≈7.2mA
这意味着遵循'forced beta' IB>=10% IC 根据经验,负载电流应始终低于70mA。
我不知道'喜欢和我一起开车B >10% IC 因为它浪费了很多功率来驱动基座,特别是当驱动电压很高时。我研究了数据手册,并据此选择了更合适的驱动电流。

It'除非电流高得多,否则电流会大很多'天气很冷,或者您真的想将其逼入饱和状态,这通常是不必要的。 BC327的最低h 有限元 of 60, when VC = -1V,因此应微调至几百mA,特别是考虑到h 有限元 具有正温度系数,这意味着'预热时会改善。例如,如果我C = 300mA, IB = 7.2mA, that'的强制Beta刚好超过40,所以VC <1V,我怀疑增加I会降低很多B to 30mA.
//www.mouser.com/datasheet/2/149/BC337-193546.pdf
 

 离线 伊恩

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« 在以下回复#28: 2021年1月24日,下午07:39:32»
我同意 如果一个人需要省电,那么一个人就需要's thumb out of one'@rse,而不是通常使用它,而是正确研究数据手册的极限和曲线。 不幸的是,您指向Fairchild数据表的链接没有'没有任何图表,所以这里's the OnSemi one: //www.onsemi.com/pub/Collateral/BC337-D.PDF
是的,图4显示了其对于300mA电流和5mA Ib的良好性能。

但是,如今,如果您需要克服这一经验法则,则可能应该考虑使用MOSFET。
« 上次修改时间:Ian.M 2021年1月24日晚上8:43:21 »
 

 离线 牛角

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« 在以下回复#29: 2021年2月3日,下午12:35:50»
I'm来自双极和FET。 使用12AX7的电路怎么样?   >:D
 

 离线 零999

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« 在以下方面回复#30: 2021年2月4日,上午09:40:55»
我同意 如果一个人需要省电,那么一个人就需要's thumb out of one'@rse,而不是通常使用它,而是正确研究数据手册的极限和曲线。 不幸的是,您指向Fairchild数据表的链接没有'没有任何图表,所以这里's the OnSemi one: //www.onsemi.com/pub/Collateral/BC337-D.PDF
是的,图4显示了其对于300mA电流和5mA Ib的良好性能。

但是,如今,如果您需要克服这一经验法则,则可能应该考虑使用MOSFET。
I'我从来不喜欢那种经验法则。它往往会驱动不足的大型高压晶体管,这些晶体管通常需要更多的基极电流,而不必要地浪费了小型晶体管的功率。
 


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