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引用自：Vgkid于2016年4月26日，04：51：55 pm

引用自：amspire on四月26，2016，08:22:19上午

是否有人建议在5ppm至15ppm范围内使用经济，稳定的电阻器？

对于通孔，TE Con​​nectivity Neohm-YR1系列提供15ppm tc，且价格便宜。

询问埃德温报价- //www.terragaze.com/forum/profile/?u=96921

/答对了

那是最好的建议  。使用他的电阻器并在具有高Vgs的金属外壳中使用JFET（例如我当前的原型中的2N4391），应该可以在5-6度范围内以低于1ppm / C tempco的温度基准进行长期参考稳定性（我的样品在过去3个月中的漂移低于5ppm-至少这是我可以针对HP3458A Opt002和Fluke 731B进行测量的极限）。

干杯

亚历克斯

引用自：amspire on四月26，2016，08:22:19上午

是否有人建议在5ppm至15ppm范围内使用经济，稳定的电阻器？

对于通孔，TE Con​​nectivity Neohm-YR1系列提供15ppm tc，且价格便宜。

Mouser备有这些电阻-电阻约为25c。不错。规格没有提到1000hr漂移，因此需要测试。

http://www.mouser.com/ds/2/418/NG_DS_1773265_A-722435.pdf

不确定电压较高的零-TC FETS，但是我测试的1.2V MPF102（我曾经测试过的）会通过15ppm / C的电阻达到5ppm / C。我想您可以找到电阻器和FET的零TC点，并在有限范围内获得较低的TC。获得1ppm的组合温度系数，然后将其放入具有0.1摄氏度稳定性的烤箱中，这应该是一个很好的参考。

大家好，我是tekscopes小组的成员，我阅读了有关使用曲线跟踪器找到JFET的零温度系数点的有趣信息：

577 D1还允许您找到理想的偏置点（零温度
FET）。您可以使用7CT1N和7000存储示波器进行此操作
也一样只需显示一组曲线并将热和/或冷应用于外壳
场效应管的理想偏置点以上的曲线将向上漂移（并得到
储存为涂片）。理想偏置点以下的曲线将向下移动
（还可以作为涂片存储）。理想偏置点曲线不会移动
这样就不会出现拖影了。它立即弹出来。

原始帖子在这里： //groups.yahoo.com/neo/groups/TekScopes/conversations/messages/129217
它有一些不错的curvetracer技巧。

好吧，我的100个J211是从DigiKey到达的've在5V Vgd下测量了该批次的截止电压。实际上，对于JFET来说，这是非常一致的一批，看来自1980年代以来，工艺确实有所改善。在〜3uA电流下（在源极和栅极之间的100V范围内的10M的Keithley 2015年），所有百分数在2.75V至3.35V之间测得。我的"experimental"U440在相同设置下的测量电压为4.6V（零温度系数点为〜3.74V，因此"theory"大约0.63或0.64V不起作用  ）。关于塑料外壳的一个明显的坏处-有一定的光敏性，因此当用作参考时，该设备不应暴露在光线下。没什么大问题。我几乎完成了一个完整的参考电路，该电路将采用12-24V电源，并提供10V输出和高达10mA的可用电流，并且仅包含两个FET，一个运算放大器和几个电阻。没有温度调节-这将是下一步。

干杯

亚历克斯

对光敏感？

现在在那里'有趣，我想知道是否有可能建立一个'photonic oven'通过将其暴露在变化强度的光线下来补偿温度漂移。

或者我可能只是疯了...

这是在冰箱中放置60分钟后的磁滞曲线图（设备温度降至约12C）。我的设备上结露了很多'已将其送回实验室。我在电压仍在上升的时候回家，所以完整的数据只能在明天使用。这是我到目前为止（"shelf"在9.999974处再次连接了Fluke，以代替JVR在冰箱中）：



看起来电压应该至少回到2ppm以内。

干杯

亚历克斯

是否有人建议在5ppm至15ppm范围内使用经济，稳定的电阻器？

Susumu RG小于15 ppm，而Stackpole RNCS小于15 ppm？两者均用无机层代替普通树脂进行钝化。

箔纸的缺点是当您'重新使用带有低频交流信号的电阻。箔电阻器的低TC是通过将箔粘合到膨胀系数互补的工程陶瓷上实现的。对于直流电，电流感应的箔片加热和基板将保持热稳定，并且最终的TC低。对于非常高的频率，'这也没有问题，因为波形变化如此之快，以致箔片加热在波形的所有部分都是恒定的。

但是，在低频情况下，箔片和基板在整个波形上将不会均匀加热，并且箔片可能在波形的不同部分不同地膨胀和收缩，从而导致电阻随信号电压而调制。什么'更糟糕的是，热时间常数会导致基材与箔异相膨胀和收缩，从而实际上加剧了信号电流箔加热的热效应。这会产生三次谐波失真，而且在错误的频率下，其效果比单纯使用'normal'更高的TC电阻'请勿尝试使用工程陶瓷基板取消其TC。

因此，对于音频或其他需要严重失真的LF AC应用，箔电阻器的性能要比Susumus等传统NiCr膜差，并且比周围的放大器产生更大的失真。据我所知，Susumus通过调整合金和工艺而不是通过使用特殊的基体陶瓷来降低TC'与箔相比，LF的失真性能更好。

该行销文件尚可，但其中包含一些错误，最有可能是由于ADI希望根据XFET参考向您出售您。 读者当心，并检查您的事实。 例如在图10中，他们表明XFET参考是某种方式"better"比长期使用的Zener参考文献更为稳定。 抱歉，ADI，但这不是真的。 我认为，如果您需要低功耗，他们的XFET参考可能还可以，但我认为他们应该更诚实。 这不是ADI第一次对它做出错误的断言's参考电压。

这是一篇过时的文章（与主题无关，因为这些XFET参考使用"band-gap"2型FET结构）。单个JFET参考在宽温度范围内不会具有良好的温度系数，但可以在特定温度下将其调整为接近零的温度系数，并且（在使用金属罐器件的情况下）看起来非常稳定。

干杯

亚历克斯

是2015年的温度系数-0.9ppm / K？ It'仅731B的规格就很高。
编辑：对不起，我正在考虑732B。

好吧，HP3458A在25C的实验室温度下（在我的背包中放置1.5个小时并在实验室中进行了3个小时的预热之后）测得的JVR的结果与三个半月前的结果基本相同（请参阅我第二/三篇文章） 8月）-10.000055V，变化约0.5 ppm。在这段时间内，该设备几乎一直处于通电状态（将其从我的家庭实验室运到我的工作实验室然后再运回时除外）。

干杯

亚历克斯

我希望我'd有足够大的背包容纳3458A

由HP3458A在25C的实验室温度下（在背包中放置1.5小时并在实验室中预热3小时后）

我需要建立更多一些统计数据 .

这看起来很有希望。  Build 许多 更多并出售它们，从而分发收集统计信息的工作！