作者 主题:更多电压参考 - DIE图片 (Read 5489 times)

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#25 on: PM 8月30日,05:46:38»
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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#26: 2020年8月30日,08:21:19 PM»
我们想念你,Михаил :)

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#27: 1月27日,2021年,10:44:46»
我们很长一段时间没有参考......  :'(




让我们看看SZY22,由此构建的参考"werkfürfernsehelektronik".
电流为5mA,它会产生8,4V +/- 0,4V的电压。




Tempco取决于排序:
SZY20:黑点:100ppm / k
SZY21:黄点:50ppm / k
SZY22:蓝点:20ppm / k
SZY23:红点:10ppm / k




数据表指出三个二极管,一个充当齐纳和两次充当"normal"二极管。选择二极管,以便齐纳的正速度补偿负速度的方式"normal" diodes.






二极管在环氧树脂中盆栽。在环氧树脂中,您可以发现携带二极管的板和第二板将第一板隔离在金属盒上。




400°C以后=>惊喜:只有两种二极管。  :o
似乎WF已经优化了参考,使Tempcos仅通过两个二极管进行补偿。
在二极管上有粘性残留物。可能他们受到不同的保护。




清洁后,我们发现两个玻璃二极管。






二极管是一种N掺杂的硅板,具有合金金属部分。我认为这是一种赋予p掺杂的al。




拆下锡液体。在第二二极管中,TIN现在位于有效区域中,但是我看起来第二二极管具有与第一个相似的结构。


//www.richis-lab.de/REF15.htm

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#28 on: 1月27日,2021年,11:03:25 AM»
数据表指出三个二极管,一个充当齐纳和两次充当"normal"二极管。选择二极管,以便齐纳的正速度补偿负速度的方式"normal" diodes.

......

400°C以后=>惊喜:只有两种二极管。  :o
似乎WF已经优化了参考,使Tempcos仅通过两个二极管进行补偿。
在二极管上有粘性残留物。可能他们受到不同的保护。

二极管包中的一个可能是温度补偿的参考齐纳 - 与内部串联补偿二极管结相似的东西。
克里斯

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#29开: 1月27日,2021年,11:23:16 AM»
二极管包中的一个可能是温度补偿的参考齐纳 - 与内部串联补偿二极管结相似的东西。

但是你不需要第二二极管。 两个二极管看起来都一样,你可以'达到特殊建筑。

更新:当然您希望第二二极管8,4V。 =>8,4V齐纳通常需要两个二极管进行抑制速度。
但是,您无法发现二极管的特殊建设。
当我稍后写下时,只有一个Zener和一个Zener可以弥补Tempcos"normal" diode.
« 上次编辑:2021年1月27日,01:49:23 PM由Noopy »
 

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#30: 1月27日,2021年,11:45:44»
FYI - 附上1997年PDF 1N829二极管是如何制作的..
我已经在这里找到了几个特斯拉kzz82(前捷克斯洛伐克)生产的温度补偿齐纳。
例如Kzz81声明"<10-7/degC Vref TC"在整个0-50degc温度范围内+/- 1%的标称IZ(20-100mA)。
http://teslakatalog.cz/KZZ82.html
太大而且很重,才能在信封中发送到一个分析。 :)
« 上次编辑:2021年1月27日,由IMO下午12:31:32 »
 
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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#31开: 下午01:09:49 1月27日,01:09:49»
关于二极管的数量和类型的更多词语:
通常用于8,4V,使用一个齐纳和两个"normal diodes"因为较高的齐纳电压具有更高的温度,需要需要两个正常二极管进行补偿。
但TEMPCO也随着电流而变化。也许Szy与一个齐纳和一个正常二极管合作。

顺便说一下:SZY数据表指出所有三个二极管是齐纳二极管。
« 上次编辑:1月27日,2021年,01:52:25 PM通过Noopy »
 

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#32开启: 1月27日,2021年,02:11:12 PM»
我想知道还可以通过再次熔化合金来恢复短路二极管,但是使用焊枪,将端子加热与在U形击球线内部的二极管保持(因为焊料被强EM场推向尖端加热环)。   ::)

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#33开: 2011年1月27日,03:19:49 PM»
400°C以后=>惊喜:只有两种二极管。  :o

您是否尝试过较少的残酷折叠方法?在60-150℃下在DMSO中浸泡0.5-3h破坏大多数环氧树脂和许多其他涂料/灌封化合物。之后可以用镊子清洁地分开。债券电线赢了'生存,但没有任何无机应该融化或破碎。
 
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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#34开: 2011年1月27日,03:51:31 PM»
您是否尝试过较少的残酷折叠方法?在60-150℃下在DMSO中浸泡0.5-3h破坏大多数环氧树脂和许多其他涂料/灌封化合物。之后可以用镊子清洁地分开。债券电线赢了'生存,但没有任何无机应该融化或破碎。

谢谢你的提示。到目前为止,我一直保持距离化学方法,因为他们中的大多数是非常不健康的,或者你需要非常特别的溶剂,正常人无法购买。
DMSO似乎是非常不合理的,你可以在eBay上购买它。到目前为止听起来不错。

然而,DMSO必须与我的竞争竞争"ofen process"与DMSO相当快,我将不得不煮几个小时。

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#35开启: 2011年1月27日,晚上10:44:00»
卖在药房。
Димексид,Дмсо,泡沫,达尔,德尔尔,脱血管,脱染液,皮塞率血管,二甲基磺酰辛,DMSO,DOLICUR,Dolocur,DROMISOL,Durasorb,Hyadur,Mastan,Somipront,Symtexan。
//pharmacycode.com/Somipront.html
« 最后编辑:2011年1月27日,10:47:06由Serg-el »
 
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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#36开启: 2月14日,2021年,02:48:17 PM»


AD1403是低成本2,5V引用。电源电压需要4,5V,可以高达40V。更好的渐变ad1403a保证2,5v +/- 10mv。 Tempco通常为10mV /°k。它可以源10mA。




模具是1,5mm x 0,9mm。
有一个连接到左角的绑定板的testpad。有趣的是为什么测试专利是必要的。有可能在BondPad上连接潜力。  :-//
大橙色电阻可以是激光修剪的。




在右上角,有两个刚刚连接到橙色方块的TestPad。您经常在带可调电阻的模具上看到这样的结构。
你看不到任何调整。那很有意思。通常,激光轨道可见。半导体电阻的容差相当高。我很确定AD1403需要一些修剪。




更有趣的是"residue"在两个用不同材料构建的较小电阻上。看起来很像激光修剪。你甚至可以看到一些沟渠。但通常,您只需修剪设计用于修剪的电阻。和可调电阻通常更大,使修剪更容易。奇怪的...




两个测试结构。上部结构是夹紧电阻器,较低的是NPN晶体管。
这里有趣的点:在P +掺杂沟槽的顶部隔离有效区域是红色层。红色层是P掺杂基材。似乎模拟使用与LM306的输出晶体管中使用的国家相同的技术( //www.richis-lab.de/Opamp09.htm)。较少的P掺杂基础层为您提供了有源区域和基板之间的较高的击穿电压。




似乎在产出键盘下有一个活跃的元素。也许一些过压保护......




识别不同的组件是没有更大的问题,但有一些有趣的结构......




青色部分是偏置电路。 Q13 / R14 / R15采用输出电压并产生参考电流。 R13是正确的启动。 R14 / R15是小型调谐电阻。这有一种感觉。在带隙单元周围存在电流调节,但是将电源电流调节到最佳值附近的值可能是件好事。

绿地面积是带隙单元,具有具有不同区域的晶体管Q6 / Q7。 R5和R6可调,以将TEMPCO调整为最佳状态。在TestPad的帮助下,您可以在调谐电路时测量电压。

Q2 / Q3是电流镜,其需要两条腿的电流。如果存在不同的电流Q9 / Q10,则调整Q11,因此带隙参考基座处的电压转到电流等级的电平,并且带隙参考按预期工作。
有两个有趣的事实:Q9和Q10的收集器电流被引导到带隙引用中。并且存在两个PNP晶体管Q4 / Q5,其用作带隙电流的小放大器。
整个电路看起来比在第一位置的努力中努力得多。我相信原理图中隐藏了一些智能调整。

红色部分是调节回路和输出级。 R10 / R11为您提供了您喜欢的电压。因为R10和R11是可调的。
R10对参考电压增加了一些漂移效果。该漂移与R3 / R4补偿。 R3与金属层短。也许可以选择将R10 / R11调整为所需的输出电压R3。




在这里,您可以看到带隙晶体管,面积为8:1。较大的晶体管采用围绕小型单发射极晶体管的两个四发射极晶体管构建。
在连接到接地的红色p掺杂区域中,存在与带隙晶体管的集电极区域相互作用的两个PNP晶体管Q4 / Q5。




R13非常有趣。收集器区域成形为R13条纹。  :-+


//www.richis-lab.de/REF16.htm

 :-/O
 
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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#37 on: 2月14日,2021年,03:36:01 PM»
R13非常有趣。收集器区域成形为R13条纹。  :-+
所以's an epi-FET.

似乎你与原理图做得非常好,但你猜到了晶体管号码不正确 ;)
(错过了当前限制器和补偿帽。)
 
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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#38 on: 2月14日,2021年,04:30:57 PM»
R13非常有趣。收集器区域成形为R13条纹。  :-+
所以's an epi-FET.

 :-+

似乎你与原理图做得非常好,但你猜到了晶体管号码不正确 ;)
(错过了当前限制器和补偿帽。)

谢谢!  :)
你在哪里找到了原理图?
I'LL必须进行更新!  :-/O ; D.

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#39开: 2月14日,2021年,05:29:16 PM»
从数据表的第一页上提到的专利:US 3,887,863 ;)

它通常涵盖了突发单元,并且还具有这种确切介入的示意性和描述。

顺便说一句,我可以'实际上找到连接到该中心带隙晶体管的集电极的任何电容。此外,100pf将是IC的相当巨大的帽子 :-//
但限制器显然是在r9附近。
 
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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#40开启: 2月14日,2021年,05:31:07 PM»
 | O. ; D.

谢谢!

我会仔细看看并进行更新。  :-+

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#41开启: 2月17日,2021年,09:06:24 PM»
AD1403的大更新:




该电路具有在数据表中的专利中描述的隐藏特征是指的。
调谐偏置发生器以产生等于流过带隙参考的每个腿的电流的电流。该电流流过黄色路径。此外,黄色路径等于"half"路径Q4 / Q13 / Q14。通过Q11 / Q12,导致晶体管Q2 / Q1处的恒定集电极电位,然后独立于温度和偏压而变得更加恒定。怪异的电路......  :scared:




我发现了100pf电容器!它是用Q1的埋地N +收集器连接构建的。您可以在某些地方发现埋藏的层。这个区域很大程度上得到100pf。第二电极是基板。




一个相当集成的过流保护。基部上的电流可以导致放置发射器的上部区域的底部接触处的电压降。在过电流事件中,晶体管通过集电极区域被激活导电电流。


//www.richis-lab.de/REF16.htm

 :-/O
 
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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#42开启:2021.年2月17日,晚上10:19:02»
嗯,我认为你可能是正确的这个埋没层。我完全没有避风港'不管是这样的可能性。我想知道如果在灌注层产生隔离扩散,则会发生什么:它会破坏它,或产生具有两层和两倍电容的电容器。

电流限制器是漂亮的标准。在我的头顶上,LM358使用相同的技巧。除了电阻/基座也同时横向PNP的发射极 :scared:
« 上次编辑:2021年2月17日,10:23:17 PM通过魔术 »
 

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#43开:2021.年2月18日,04:17:26»
嗯,我认为你可能是正确的这个埋没层。我完全没有避风港'不管是这样的可能性。我想知道如果在灌注层产生隔离扩散,则会发生什么:它会破坏它,或产生具有两层和两倍电容的电容器。

在书籍中,您可以看到两者,隔离扩散在模具顶部和隔离扩散到达基板。最后一个可能会破坏电容器。
无论如何我假设你会因为隔离扩散的高掺杂而得到相当低的击穿电压。  >:D

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#44 on: 2月18日,2021年,07:51:02»
掺杂在底部打火机。我认为LTZ1000在Q1 / D1中使用类似的技巧(或至少'唯一的解释,我能够想出 ;))其绝对最大评级为15伏。该电容仅保持〜2V,因此甚至反向偏置为交叉点也可以工作。

该电路具有在数据表中的专利中描述的隐藏特征是指的。
调谐偏置发生器以产生等于流过带隙参考的每个腿的电流的电流。该电流流过黄色路径。此外,黄色路径等于"half"路径Q4 / Q13 / Q14。通过Q11 / Q12,导致晶体管Q2 / Q1处的恒定集电极电位,然后独立于温度和偏压而变得更加恒定。
我也想知道它。香料思考(我知道没有理由不同意)这种突破细胞对集电极电压的变化有些敏感。甚至敏感的均匀变化,因为这些晶体管显然是aren'匹配。稍后的AD58X带隙参考引导收集器来调节2.5V-1VBE,在此似乎Q11〜Q15跟踪Q7的基极电压,因为它推动电流通过R30。
 
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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#45: 2月18日,2021年,10:01:33»
掺杂在底部打火机。我认为LTZ1000在Q1 / D1中使用类似的技巧(或至少'唯一的解释,我能够想出 ;))其绝对最大评级为15伏。该电容仅保持〜2V,因此甚至反向偏置为交叉点也可以工作。

你是对更深的地区的较低的兴奋剂。   :-+
这里电压肯定并不重要。但电压可能是一般的问题。


该电路具有在数据表中的专利中描述的隐藏特征是指的。
调谐偏置发生器以产生等于流过带隙参考的每个腿的电流的电流。该电流流过黄色路径。此外,黄色路径等于"half"路径Q4 / Q13 / Q14。通过Q11 / Q12,导致晶体管Q2 / Q1处的恒定集电极电位,然后独立于温度和偏压而变得更加恒定。
我也想知道它。香料思考(我知道没有理由不同意)这种突破细胞对集电极电压的变化有些敏感。甚至敏感的均匀变化,因为这些晶体管显然是aren'匹配。稍后的AD58X带隙参考引导收集器来调节2.5V-1VBE,在此似乎Q11〜Q15跟踪Q7的基极电压,因为它推动电流通过R30。

 :-+

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#46开: 2月23日,2021年,09:29:20 PM»
400°C以后=>惊喜:只有两种二极管。  :o

您是否尝试过较少的残酷折叠方法?在60-150℃下在DMSO中浸泡0.5-3h破坏大多数环氧树脂和许多其他涂料/灌封化合物。之后可以用镊子清洁地分开。债券电线赢了'生存,但没有任何无机应该融化或破碎。

今天我在圆形约110°C时尝试了45分钟DMSO。我煮了一个现代的SO8和一个旧的dil8 => nothing  :'(
包仍然像新的一样。
 :-// :-// :-//

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#47开启:2021.年2月23日,09:43:18 PM»
这种东西更有可能在PCB等物品上工作,也许是一些灌封的化合物。

所说,如此,其中一个Dynaloy产品被认为是基于DMSO和苯氧基异丙醇。他们建议在150°C使用它。
//siliconpr0n.org/wiki/doku.php?id=decap:solvent
 

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#48开启: 2月23日,2021年,09:57:39 PM»
我做了一些"research":似乎DMSO可以做得很多。我已经阅读了关于DMSO溶解的聚酰亚胺......

I"虽然有点害怕高温。 DMSO似乎在高温下不稳定,有些化学品可以加速这种行为。

离线 BU508A

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Re:更多电压参考 - Die图片
« 回复#49: 2月24日,2021年,11:55:42»
hei noopy,

您对来自德州仪器的其他3.3V参考有兴趣吗?
这一点:Ref3033aidBZR(SOT23案例)

如果你愿意,我可以寄给你5或10件,让我知道。 (PM通过论坛)。

谢谢你的工作,我'm真的很欣赏它。   :-+
« 上次编辑:2月24日,2021年2月24日,Bu508a下午12:22:20 »
“在寻求订单的地方,混乱是最大的丰富。它总是击败订单,因为它更好地组织。“            - Terry Pratchett -
 


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